DMN1019UFDE-7

產品屬性

屬性值

製造商：

二極管公司

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

U-DFN2020-E-6

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

12 V

Id - 連續漏極電流：

11 A

Rds On - 漏源電阻：

10 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

800 mV

Vgs - 柵源電壓：

8 V

Qg - 門電荷：

27.3 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

690 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

DMN10

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

二極管公司

正向跨導 - 最小值：

28 S

秋季時間：

16.8 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

22.2 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

57.6 ns

典型的開啟延遲時間：

7.6 ns

Tags

DMN1019, DMN101, DMN10, DMN1, DMN