VS-GT50TP60N

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

IGBT 模塊

RoHS：

Y

配置：

半橋

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

600 V

集電極-發射極飽和電壓：

1.65 V

25 C 時的連續集電極電流：

85 A

柵極-發射極漏電流：

400 nA

Pd - 功耗：

208 W

包裝/案例：

INT-A-PAK

最高工作溫度：

+ 175 C

品牌：

威世半導體

安裝方式：

底盤安裝

最大柵極發射極電壓：

20 V

產品類別：

IGBT 模塊

出廠包裝數量：

24

子類別：

IGBT

Tags

VS-GT, VS-G