QS8J4TR

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSMT-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

4 A

Rds On - 漏源電阻：

40 mOhms, 40 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.5 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

13 nC, 13 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.5 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

QS8J4

晶體管類型：

2 P-Channel

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

50 ns, 50 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

20 ns, 20 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

80 ns, 80 ns

典型的開啟延遲時間：

8 ns, 8 ns

第 # 部分別名：

QS8J4

Tags

QS8J4, QS8J, QS8