HGT1S12N60A4S9A

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

IGBT晶體管

RoHS：

E

技術：

矽

包裝/案例：

TO-263AB-3

安裝方式：

貼片/貼片

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

1200 V

集電極-發射極飽和電壓：

2.7 V

最大柵極發射極電壓：

20 V

25 C 時的連續集電極電流：

35 A

Pd - 功耗：

298 W

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

HGT1S12N60A4S9A

打包：

捲軸

連續集電極電流 Ic 最大值：

54 A

高度：

4.83 mm

長度：

10.67 mm

寬度：

9.65 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

連續集電極電流：

55 A

柵極-發射極漏電流：

+/- 250 nA

產品類別：

IGBT晶體管

出廠包裝數量：

800

子類別：

IGBT

單位重量：

0.046296 oz

Tags

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