IRFHM830DTR2PBF

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

PQFN-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

20 A

Rds On - 漏源電阻：

5.7 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.8 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

13 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.8 W

配置：

單身的

打包：

捲軸

高度：

1.05 mm

長度：

3.3 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

3.3 mm

品牌：

英飛凌/紅外

正向跨導 - 最小值：

69 S

秋季時間：

6.7 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

20 ns

出廠包裝數量：

400

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

9.1 ns

典型的開啟延遲時間：

9.8 ns

第 # 部分別名：

SP001551956

單位重量：

0.017637 oz

Tags

IRFHM830DT, IRFHM830D, IRFHM830, IRFHM83, IRFHM8, IRFHM, IRFH, IRF