MMBFJ212

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

射頻 JFET 晶體管

RoHS：

T

晶體管類型：

場效應管

技術：

矽

晶體管極性：

N通道

Vgs - 柵源擊穿電壓：

- 25 V

Id - 連續漏極電流：

40 mA

最大漏柵電壓：

25 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

225 mW

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-23

打包：

捲軸

配置：

單身的

工作溫度範圍：

- 55 C to + 150 C

產品：

射頻結型場效應管

類型：

場效應管

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

正向跨導 - 最小值：

0.007 S to 0.012 S

柵源截止電壓：

- 6 V

產品類別：

射頻 JFET 晶體管

出廠包裝數量：

3000

子類別：

晶體管

單位重量：

0.000282 oz

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MMBFJ212, MMBFJ21, MMBFJ2, MMBFJ, MMBF, MMB