SSM6N68NU,LF

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

UDFN-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

4 A

Rds On - 漏源電阻：

84 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

400 mV

Vgs - 柵源電壓：

12 V, - 8 V

Qg - 門電荷：

1.8 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

SSM6N68NU

品牌：

東芝

正向跨導 - 最小值：

5.2 S

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

9 ns

典型的開啟延遲時間：

26 ns

單位重量：

0.000300 oz

Tags

SSM6N6, SSM6N, SSM6, SSM