CSD85312Q3E

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

E

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

VSON-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

12 A

Rds On - 漏源電阻：

14 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.1 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

11.7 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

雙重的

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

高度：

1 mm

長度：

3.3 mm

系列：

CSD85312Q3E

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

3.3 mm

品牌：

德州儀器

正向跨導 - 最小值：

99 S

秋季時間：

6 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

27 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

24 ns

典型的開啟延遲時間：

11 ns

單位重量：

0.001129 oz

Tags

CSD85, CSD8, CSD