PMDPB58UPE,115

產品屬性

屬性值

製造商：

Nexperia

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DFN-2020-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

4.5 A

Rds On - 漏源電阻：

58 mOhms, 58 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

950 mV

Vgs - 柵源電壓：

8 V

Qg - 門電荷：

9.5 nC, 9.5 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.21 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

晶體管類型：

2 P-Channel

品牌：

Nexperia

正向跨導 - 最小值：

9 S, 9 S

秋季時間：

14 ns, 14 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

15 ns, 15 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

41 ns, 41 ns

典型的開啟延遲時間：

7 ns, 7 ns

Tags

PMDPB58, PMDPB5, PMDPB, PMDP, PMD