CSD19536KCS

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

259 A

Rds On - 漏源電阻：

2.7 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.1 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

118 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

375 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

場效應管

打包：

管子

高度：

16.51 mm

長度：

10.67 mm

系列：

CSD19536KCS

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

4.7 mm

品牌：

德州儀器

正向跨導 - 最小值：

307 S

秋季時間：

5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

8 ns

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

38 ns

典型的開啟延遲時間：

14 ns

單位重量：

0.211644 oz

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