CSD87381PT

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

PTAB-5

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

15 A

Rds On - 漏源電阻：

15.7 mOhms, 7 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.9 V, 1.7 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

3.9 nC, 8.9 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

4 W

配置：

雙重的

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

高度：

0.48 mm

長度：

3 mm

系列：

CSD87381P

晶體管類型：

2 N-Channel

類型：

同步降壓 NexFET 功率級

寬度：

2.5 mm

品牌：

德州儀器

正向跨導 - 最小值：

40 S, 89 S

秋季時間：

3 ns, 2.9 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

19.3 ns, 16.3 ns

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

10.6 ns, 16.8 ns

典型的開啟延遲時間：

6.7 ns, 7.9 ns

Tags

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