TPN11006PL,LQ

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSON-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

54 A

Rds On - 漏源電阻：

11.4 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.5 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

17 nC

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

61 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

TPN11006PL

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

東芝

秋季時間：

3.8 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

2.7 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

23 ns

典型的開啟延遲時間：

16 ns

Tags

TPN11006, TPN110, TPN11, TPN1, TPN