NTMFS5H419NLT1G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DFN-5

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

40 V

Id - 連續漏極電流：

155 A

Rds On - 漏源電阻：

2.1 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

45 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

89 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

80 S

秋季時間：

15 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

56 ns

出廠包裝數量：

1500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

62 ns

典型的開啟延遲時間：

24 ns

Tags

NTMFS5H4, NTMFS5H, NTMFS5, NTMFS, NTMF, NTM