IXFQ28N60P3

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-3P-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

28 A

Rds On - 漏源電阻：

260 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

5 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

50 nC

Pd - 功耗：

695 W

配置：

單身的

商品名：

高功率場效應晶體管

打包：

管子

系列：

IXFQ28N60

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

IXYS

正向跨導 - 最小值：

30 S, 18 S

秋季時間：

19 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

18 ns

出廠包裝數量：

30

子類別：

MOSFET

單位重量：

0.056438 oz

Tags

IXFQ2, IXFQ, IXF