FCH041N65EFLN4

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-247-4

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

76 A

Rds On - 漏源電阻：

41 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

229 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

595 W

配置：

單雙源

頻道模式：

增強

商品名：

超級場效應晶體管 II

打包：

管子

系列：

超級場效應晶體管 II

晶體管類型：

1 N-Channel SUPERFET II Power MOSFET

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

71.7 S

秋季時間：

18 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

25 ns

出廠包裝數量：

450

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

169 ns

典型的開啟延遲時間：

55 ns

Tags

FCH041N65E, FCH041N65, FCH041, FCH04, FCH0, FCH