NTB6412ANT4G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-3

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

41 A

Rds On - 漏源電阻：

18.2 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

100 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

167 W

打包：

捲軸

系列：

NTB6412AN

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

31 S

秋季時間：

126 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

140 ns

出廠包裝數量：

800

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

70 ns

典型的開啟延遲時間：

16 ns

單位重量：

0.139332 oz

Tags

NTB6412, NTB641, NTB64, NTB6, NTB