2N6990

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

N

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-116-14

晶體管極性：

NPN

配置：

四邊形

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

50 V

集電極-基極電壓 VCBO：

75 V

發射極基極電壓 VEBO：

6 V

集電極-發射極飽和電壓：

300 mV

最大直流集電極電流：

800 mA

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 200 C

直流電流增益 hFE 最大值：

325 at 1 mA, 10 VDC

打包：

托盤

品牌：

微芯片/Microsemi

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

75 at 1 mA, 10 VDC

Pd - 功耗：

1.5 W

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

出廠包裝數量：

1

子類別：

晶體管

單位重量：

0.014110 oz

Tags

2N6990, 2N699, 2N69, 2N6