APTGT50DH120T3G

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

IGBT 模塊

RoHS：

Y

產品：

IGBT 矽模塊

配置：

雙重的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

1.2 kV

集電極-發射極飽和電壓：

1.7 V

25 C 時的連續集電極電流：

75 A

柵極-發射極漏電流：

400 nA

Pd - 功耗：

277 W

包裝/案例：

SP3-32

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 100 C

品牌：

微芯片/Microsemi

安裝方式：

底盤安裝

最大柵極發射極電壓：

20 V

產品類別：

IGBT 模塊

出廠包裝數量：

1

子類別：

IGBT

Tags

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