IXTN32P60P

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

底盤安裝

包裝/案例：

SOT-227-4

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

32 A

Rds On - 漏源電阻：

350 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Qg - 門電荷：

196 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

890 W

打包：

管子

產品：

功率MOSFET

系列：

IXTN32P60

品牌：

IXYS

正向跨導 - 最小值：

32 S / 21 S

秋季時間：

33 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

27 ns

出廠包裝數量：

10

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

95 ns

典型的開啟延遲時間：

37 ns

單位重量：

1.058219 oz

Tags

IXTN3, IXTN, IXT