IXFN26N120P

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

底盤安裝

包裝/案例：

SOT-227-4

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

1.2 kV

Id - 連續漏極電流：

23 A

Rds On - 漏源電阻：

460 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

30 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

695 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

高功率場效應晶體管

打包：

管子

高度：

9.6 mm

長度：

38.23 mm

系列：

IXFN26N120

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

25.42 mm

品牌：

IXYS

秋季時間：

58 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

55 ns

出廠包裝數量：

10

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

76 ns

典型的開啟延遲時間：

56 ns

單位重量：

1.058219 oz

Tags

IXFN26N, IXFN26, IXFN2, IXFN, IXF