CSD22205LT

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

PICOSTAR-4

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

8 V

Id - 連續漏極電流：

7.4 A

Rds On - 漏源電阻：

40 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.05 V

Vgs - 柵源電壓：

6 V

Qg - 門電荷：

8.5 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

600 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

系列：

CSD22205L

晶體管類型：

1 P-Channel

品牌：

德州儀器

正向跨導 - 最小值：

10.4 S

秋季時間：

32 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

14 ns

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

70 ns

典型的開啟延遲時間：

30 ns

單位重量：

0.000032 oz

Tags

CSD222, CSD22, CSD2, CSD