CMLDM8120G TR

產品屬性

屬性值

製造商：

中央半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-563

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

860 mA

Rds On - 漏源電阻：

240 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

760 mV

Vgs - 柵源電壓：

8 V

Qg - 門電荷：

3.56 nC

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 mW

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

CMLDM8

品牌：

中央半導體

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

第 # 部分別名：

CMLDM8120G PBFREE TR

單位重量：

0.000106 oz

Tags

CMLDM8120GT, CMLDM8120G, CMLDM81, CMLDM8, CMLDM, CMLD, CML