DMN33D8LV-7

產品屬性

屬性值

製造商：

二極管公司

產品分類：

MOSFET

技術：

矽

包裝/案例：

SOT-363-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N 通道，NPN

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

350 mA

Rds On - 漏源電阻：

2.4 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

800 mV

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

1.25 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

430 mW

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

晶體管類型：

2 N-Channel

品牌：

二極管公司

秋季時間：

13.6 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

2.6 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

18.2 ns

典型的開啟延遲時間：

2.9 ns

Tags

DMN33D, DMN33, DMN3, DMN