IRF1902GTRPBF

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SO-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

4.2 A

Rds On - 漏源電阻：

85 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

700 mV

Qg - 門電荷：

7.5 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

單身的

打包：

捲軸

高度：

1.75 mm

長度：

4.9 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

3.9 mm

品牌：

英飛凌/紅外

正向跨導 - 最小值：

5.6 S

秋季時間：

19 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

13 ns

出廠包裝數量：

4000

子類別：

MOSFET

第 # 部分別名：

SP001561612

單位重量：

0.019048 oz

Tags

IRF19, IRF1, IRF