CSD23382F4T

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

PICOSTAR-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

12 V

Id - 連續漏極電流：

3.5 A

Rds On - 漏源電阻：

199 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

800 mV

Vgs - 柵源電壓：

800 mV

Qg - 門電荷：

1.04 nC

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

高度：

0.35 mm

長度：

1 mm

系列：

CSD23382F4

晶體管類型：

1 P-Channel

寬度：

0.64 mm

品牌：

德州儀器

正向跨導 - 最小值：

3.4 S

秋季時間：

41 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

25 ns

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

66 ns

典型的開啟延遲時間：

28 ns

單位重量：

0.000014 oz

Tags

CSD2338, CSD233, CSD23, CSD2, CSD