VND5N07-E

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

70 V

Id - 連續漏極電流：

5 A

Rds On - 漏源電阻：

200 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

800 mV

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

18 nC

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

60 W

配置：

單身的

資質：

AEC-Q101

打包：

管子

系列：

VND5N07-E

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

功率MOSFET

品牌：

意法半導體

正向跨導 - 最小值：

3 S

秋季時間：

1100 ns

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

上升時間：

400 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

3900 ns

典型的開啟延遲時間：

150 ns

單位重量：

0.139332 oz

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