BSD214SN H6327

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-363-6

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

1.5 A

Rds On - 漏源電阻：

111 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

700 mV

Vgs - 柵源電壓：

12 V

Qg - 門電荷：

800 pC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.9 mm

長度：

2 mm

系列：

BSD214

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

1.25 mm

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

4 S

開發套件：

-

秋季時間：

1.4 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

7.8 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

6.8 ns

典型的開啟延遲時間：

4.1 ns

第 # 部分別名：

BSD214SNH6327XT BSD214SNH6327XTSA1 SP000917656

單位重量：

0.000265 oz

Tags

BSD214SNH, BSD214S, BSD214, BSD21, BSD2, BSD