CSD87503Q3ET

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

VSON-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

10 A

Rds On - 漏源電阻：

17.3 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.3 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

42.8 nC, 42.8 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

15.6 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

系列：

CSD87503Q3E

晶體管類型：

2 N-Channel

品牌：

德州儀器

正向跨導 - 最小值：

24 S, 24 S

秋季時間：

8 ns, 8 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

40 ns, 40 ns

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

25 ns, 25 ns

典型的開啟延遲時間：

10 ns, 10 ns

Tags

CSD8750, CSD875, CSD87, CSD8, CSD