ATF-511P8-TR1

產品屬性

屬性值

製造商：

博通有限公司

產品分類：

射頻 JFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管類型：

EpHEMT

技術：

砷化鎵

獲得：

14.8 dB

Vds - 漏源擊穿電壓：

7 V

Vgs - 柵源擊穿電壓：

- 5 V to 1 V

Id - 連續漏極電流：

1 A

最大漏柵電壓：

- 5 V to + 1 V

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3 W

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

LPCC-8

打包：

捲軸

配置：

單雙源

工作頻率：

2 GHz

產品：

射頻結型場效應管

類型：

GaAs EpHEMT

品牌：

博通/安華高

正向跨導 - 最小值：

2178 mmho

NF - 噪聲係數：

1.4 dB

P1dB - 壓縮點：

30 dBm

產品類別：

射頻 JFET 晶體管

出廠包裝數量：

3000

子類別：

晶體管

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ATF-511P8-TR1, ATF-511P8-T, ATF-511, ATF-51, ATF-5, ATF