R6025JNZC8

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-3PF

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

25 A

Rds On - 漏源電阻：

182 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

5 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

57 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

85 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

PrestoMOS

打包：

大部分

系列：

BM14270MUV-LB

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

18 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

24 ns

出廠包裝數量：

360

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

60 ns

典型的開啟延遲時間：

33 ns

Tags

R6025J, R6025, R602, R60