BSM50GD120DN2E3226

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

IGBT 模塊

產品：

IGBT 矽模塊

配置：

十六進制

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

1200 V

集電極-發射極飽和電壓：

2.5 V

25 C 時的連續集電極電流：

50 A

柵極-發射極漏電流：

200 nA

Pd - 功耗：

350 W

包裝/案例：

EconoPACK 2

最高工作溫度：

+ 150 C

打包：

托盤

高度：

17 mm

長度：

107.5 mm

寬度：

45.5 mm

品牌：

英飛凌科技

安裝方式：

底盤安裝

最大柵極發射極電壓：

20 V

產品類別：

IGBT 模塊

出廠包裝數量：

10

子類別：

IGBT

第 # 部分別名：

BSM50GD120DN2E3226BOSA1 SP000100366

Tags

BSM50GD120DN2E3, BSM50GD120DN2E, BSM50GD120DN, BSM50GD120D, BSM50GD12, BSM50GD1, BSM50GD, BSM50G, BSM5, BSM