BSO615N G

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SO-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

2.6 A

Rds On - 漏源電阻：

120 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

20 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

商品名：

西普莫斯

打包：

捲軸

高度：

1.75 mm

長度：

4.9 mm

系列：

BSO615

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

3.9 mm

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

2.4 S

秋季時間：

15 ns

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

上升時間：

15 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

20 ns

典型的開啟延遲時間：

12 ns

第 # 部分別名：

BSO615NGHUMA1 BSO615NGXT SP000216316

單位重量：

0.017870 oz

Tags

BSO615NG, BSO615N, BSO615, BSO61, BSO6, BSO