CMNDM8001 TR

產品屬性

屬性值

製造商：

中央半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-953

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

200 mA

Rds On - 漏源電阻：

2.4 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.1 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

658 pC

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

CMNDM

晶體管類型：

1 P-Channel

品牌：

中央半導體

正向跨導 - 最小值：

100 mS

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

8000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

80 ns

典型的開啟延遲時間：

35 ns

第 # 部分別名：

CMNDM8001 PBFREE TR

Tags

CMNDM, CMND, CMN