IPN70R1K0CEATMA1

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-223-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

700 V

Id - 連續漏極電流：

7.4 A

Rds On - 漏源電阻：

900 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.5 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

14.9 nC

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

5 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

CoolMOS CE

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

英飛凌科技

秋季時間：

13.6 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

5.2 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

41 ns

典型的開啟延遲時間：

6.6 ns

第 # 部分別名：

IPN70R1K0CE SP001646912

單位重量：

0.004134 oz

Tags

IPN70R1K0, IPN70R1, IPN70, IPN7, IPN