SSM3J356R,LF

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-23F-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

2 A

Rds On - 漏源電阻：

400 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

800 mV

Vgs - 柵源電壓：

4 V

Qg - 門電荷：

8.3 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.9 mm

長度：

2.9 mm

系列：

SSM3J356

晶體管類型：

1 P-Channel

寬度：

1.3 mm

品牌：

東芝

正向跨導 - 最小值：

4.7 S

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

48 ns

典型的開啟延遲時間：

29 ns

單位重量：

0.000282 oz

Tags

SSM3J35, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM