IXFN82N60Q3

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

底盤安裝

包裝/案例：

SOT-227-4

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

66 A

Rds On - 漏源電阻：

75 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

275 nC

Pd - 功耗：

960 W

配置：

單身的

商品名：

高功率場效應晶體管

打包：

管子

系列：

IXFN82N60

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

IXYS

產品類別：

MOSFET

上升時間：

300 ns

出廠包裝數量：

10

子類別：

MOSFET

單位重量：

1.058219 oz

Tags

IXFN8, IXFN, IXF