CSD25304W1015T

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DSBGA-6

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

3 A

Rds On - 漏源電阻：

92 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

800 mV

Vgs - 柵源電壓：

8 V

Qg - 門電荷：

3.3 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.5 W

配置：

單身的

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

高度：

0.625 mm

長度：

1.5 mm

系列：

CSD25304W1015

晶體管類型：

1 P-Channel

寬度：

1 mm

品牌：

德州儀器

秋季時間：

10 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

4 ns

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

24 ns

典型的開啟延遲時間：

6 ns

單位重量：

0.000060 oz

Tags

CSD2530, CSD253, CSD25, CSD2, CSD