BC858B TR

產品屬性

屬性值

製造商：

中央半導體

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-23-3

晶體管極性：

PNP

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

30 V

集電極-基極電壓 VCBO：

30 V

發射極基極電壓 VEBO：

5 V

集電極-發射極飽和電壓：

0.65 V

最大直流集電極電流：

200 mA

增益帶寬積 fT：

100 MHz

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

BC858B

直流電流增益 hFE 最大值：

475 at 2 mA, 5 V

打包：

捲軸

品牌：

中央半導體

連續集電極電流：

100 mA

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

220 at 2 mA, 5 V

Pd - 功耗：

350 mW

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

出廠包裝數量：

3000

子類別：

晶體管

第 # 部分別名：

BC858B PBFREE TR

Tags

BC858BT, BC858B, BC858, BC85, BC8