2SB1122T-TD-E

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

Y

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-89-3

晶體管極性：

PNP

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

- 50 V

集電極-基極電壓 VCBO：

- 60 V

發射極基極電壓 VEBO：

- 5 V

集電極-發射極飽和電壓：

- 180 mV

最大直流集電極電流：

- 1 A

增益帶寬積 fT：

150 MHz

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

2SB1122

直流電流增益 hFE 最大值：

400 at - 100 mA, - 2 V

打包：

捲軸

品牌：

安森美半導體

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

140

Pd - 功耗：

1.3 W

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

出廠包裝數量：

1000

子類別：

晶體管

單位重量：

0.001806 oz

Tags

2SB1122, 2SB112, 2SB11, 2SB1, 2SB