NTLUS3C18PZTBG

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

UDFN-6

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

12 V

Id - 連續漏極電流：

7 A

Rds On - 漏源電阻：

24 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

8 V

Qg - 門電荷：

15.8 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.71 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.5 mm

長度：

1.6 mm

產品：

功率MOSFET

類型：

-

寬度：

1.6 mm

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

21.8 S

秋季時間：

59 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

52.5 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

40 ns

典型的開啟延遲時間：

8.5 ns

Tags

NTLUS3, NTLUS, NTLU, NTL