QH8JA1TCR

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSMT-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

5 A

Rds On - 漏源電阻：

28 mOhms, 28 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.2 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

10.2 nC, 10.2 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.5 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

晶體管類型：

2 P-Channel

品牌：

羅姆半導體

正向跨導 - 最小值：

5.5 S, 5.5 S

秋季時間：

65 ns, 65 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

32 ns, 32 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

70 ns, 70 ns

典型的開啟延遲時間：

11 ns, 11 ns

第 # 部分別名：

QH8JA1

Tags

QH8