STS8C5H30L

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SO-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

5.4 A, 8 A

Rds On - 漏源電阻：

22 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

7 nC, 12.5 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.6 W, 2 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

1.65 mm

長度：

5 mm

系列：

STS8C5H30L

晶體管類型：

1 N-Channel Power MOSFET, 1 P-Channel Power MOSFET

類型：

MOSFET

寬度：

4 mm

品牌：

意法半導體

正向跨導 - 最小值：

8.5 S, 10 S

秋季時間：

8 ns, 35 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

14.5 ns, 35 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

23 ns, 125 ns

典型的開啟延遲時間：

12 ns, 25 ns

單位重量：

0.002998 oz

Tags

STS8C5, STS8C, STS8, STS