NTJD4105CT2G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-363-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

27 V, 10.5 V

Id - 連續漏極電流：

630 mA, 775 mA

Rds On - 漏源電阻：

290 mOhms, 220 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

920 mV, 830 mV

Vgs - 柵源電壓：

12 V, 8 V

Qg - 門電荷：

1.3 nC, 2.2 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

270 mW

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.9 mm

長度：

2 mm

產品：

MOSFET 小信號

系列：

NTJD4105C

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

類型：

MOSFET

寬度：

1.25 mm

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

2 S

秋季時間：

506 ns, 36 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

227 ns, 23 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

786 ns, 50 ns

典型的開啟延遲時間：

83 ns, 13 ns

單位重量：

0.000265 oz

Tags

NTJD4105, NTJD410, NTJD41, NTJD4, NTJD, NTJ