BVSS123LT1G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-23-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

170 mA

Rds On - 漏源電阻：

6 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.6 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

225 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

打包：

捲軸

系列：

BSS123L

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

80 S

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

40 ns

典型的開啟延遲時間：

20 ns

單位重量：

0.000282 oz

Tags

BVSS1, BVSS, BVS