CMLDM3757 TR

產品屬性

屬性值

製造商：

中央半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-563

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

540 mA

Rds On - 漏源電阻：

750 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

8 V

Qg - 門電荷：

1.58 nC, 1.2 nC

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 mW

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

CMLDM3

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

中央半導體

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

25 ns, 48 ns

典型的開啟延遲時間：

10 ns, 38 ns

第 # 部分別名：

CMLDM3757 PBFREE TR

單位重量：

0.000106 oz

Tags

CMLDM3, CMLDM, CMLD, CML