STD10NM65N

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

9 A

Rds On - 漏源電阻：

480 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

25 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

90 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

2.4 mm

長度：

6.6 mm

系列：

STP10NM65N

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

6.2 mm

品牌：

意法半導體

秋季時間：

20 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

8 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

50 ns

典型的開啟延遲時間：

12 ns

單位重量：

0.139332 oz

Tags

STD10NM65, STD10NM6, STD10NM, STD10N, STD10, STD1, STD