CG2H80030D-GP4

產品屬性

屬性值

製造商：

克里公司

產品分類：

射頻 JFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管類型：

HEMT

技術：

氮化鎵

獲得：

17 dB

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Vgs - 柵源擊穿電壓：

- 10 V to 2 V

Id - 連續漏極電流：

0.8 A

輸出功率：

6 W

最大漏柵電壓：

-

最低工作溫度：

-

最高工作溫度：

-

Pd - 功耗：

-

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

死

打包：

凝膠包

應用：

-

配置：

單身的

高度：

100 um

長度：

840 um

工作頻率：

10 MHz to 18 GHz

工作溫度範圍：

-

產品：

氮化鎵 HEMT

寬度：

800 um

品牌：

Wolfspeed / 克里

柵源截止電壓：

-

班級：

-

開發套件：

-

秋季時間：

-

NF - 噪聲係數：

-

P1dB - 壓縮點：

-

產品類別：

射頻 JFET 晶體管

Rds On - 漏源電阻：

2.3 Ohms

上升時間：

-

出廠包裝數量：

10

子類別：

晶體管

典型關斷延遲時間：

-

Vgs th - 柵源閾值電壓：

- 3 V

Tags

CG2H800, CG2H8, CG2H, CG2