FDMC89521L

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

Power-33-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

8.2 A

Rds On - 漏源電阻：

17 mOhms

Qg - 門電荷：

7.9 nC, 17 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.9 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

商品名：

動力戰壕

打包：

捲軸

高度：

0.8 mm

長度：

3 mm

系列：

FDMC89521L

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

3 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

單位重量：

0.006914 oz

Tags

FDMC8, FDMC, FDM