KSD526O

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

Y

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220-3

晶體管極性：

NPN

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

80 V

集電極-基極電壓 VCBO：

80 V

發射極基極電壓 VEBO：

5 V

集電極-發射極飽和電壓：

0.45 V

最大直流集電極電流：

4 A

增益帶寬積 fT：

8 MHz

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

直流電流增益 hFE 最大值：

240

高度：

9.4 mm (Max)

長度：

10.1 mm (Max)

打包：

大部分

寬度：

4.7 mm (Max)

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

連續集電極電流：

4 A

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

40

Pd - 功耗：

30 W

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

出廠包裝數量：

200

子類別：

晶體管

單位重量：

0.080072 oz

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KSD526O, KSD526, KSD52, KSD5, KSD