TPH2R306NH,L1Q

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOP-Advance-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

130 A

Rds On - 漏源電阻：

1.9 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

72 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

78 W

配置：

單身的

商品名：

UMOSVIII

打包：

捲軸

高度：

0.95 mm

長度：

5 mm

系列：

TPH2R306NH

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

5 mm

品牌：

東芝

秋季時間：

16 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

9.9 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

50 ns

典型的開啟延遲時間：

29 ns

單位重量：

0.030018 oz

Tags

TPH2R306N, TPH2R3, TPH2R, TPH2, TPH